[发明专利]一种高取向的导电高分子薄膜的制备方法、所制得的薄膜及其应用有效

专利信息
申请号: 201310395460.4 申请日: 2013-09-03
公开(公告)号: CN103451698A 公开(公告)日: 2013-12-18
发明(设计)人: 闫寿科;任忠杰 申请(专利权)人: 北京化工大学
主分类号: C25D9/02 分类号: C25D9/02;H01L51/00
代理公司: 北京庆峰财智知识产权代理事务所(普通合伙) 11417 代理人: 刘元霞
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种高取向的导电高分子薄膜的制备方法。该方法是用熔融拉伸法制备高取向的聚合物薄膜,然后用该聚合物薄膜修饰电化学聚合用的电极,然后将导电聚合物单体在该修饰的电极上进行电化学聚合形成所述的高取向的导电高分子薄膜。该导电高分子薄膜的电导率具有各向异性,即在垂直和平行修饰电极的聚合物取向薄膜方向展示出明显差异的电导率。该导电高分子薄膜可以应用于发光二极管,太阳能电池和场效应晶体管等领域。
搜索关键词: 一种 取向 导电 高分子 薄膜 制备 方法 及其 应用
【主权项】:
一种高取向的导电高分子薄膜的制备方法,其特征在于,所述方法包括:用熔融拉伸法制备高取向的聚合物薄膜,然后用该聚合物薄膜修饰电化学聚合用的电极,然后将导电聚合物单体在该修饰的电极上进行电化学聚合形成所述的高取向的导电高分子薄膜。
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