[发明专利]具有降低衬底翘曲的背面结构的集成电路

摘要

本发明通过形成在晶圆的反面上的结构来改善深沟槽电容器引起的晶圆翘曲。反面上的结构包括张力膜。张力膜可形成在晶圆的背面上的沟槽内，这样会增强其效果。在一些实施例中，使用晶圆形成3D‑IC器件。在一些实施例中，3D‑IC器件包括高电压或高功率电路。本发明还公开了具有降低衬底翘曲的背面结构的集成电路。

主权项

一种集成电路器件，包括：第一半导体衬底，具有正面和背面；第一结构，包括形成在所述正面向下延伸的第一沟槽中的深沟槽电容器，所述第一结构包括向所述第一半导体衬底施加压应力的张力材料；以及第二结构，形成在所述第一半导体衬底的所述背面上，所述第二结构包括向所述第一半导体衬底施加压应力的张力材料；其中，所述第二结构包括选自由下列组成的组的结构：厚度大于位于所述正面上的相同材料的任何膜的厚度的一层或多层张力膜；以及填充所述第一半导体衬底内的沟槽的张力材料；附加背面层，邻接所述第二结构，所述附加背面层向所述第一半导体衬底的背面施加附加应力。