[发明专利]一种具有N型硅埋层的部分绝缘层上硅LDMOS晶体管

摘要

本发明公开了一种具有N型硅埋层的部分绝缘层上硅LDMOS晶体管，所述晶体管结构自下而上依次含有一衬底层；一部分氧化层，其中左半部分为硅窗口，右半部分为埋氧层；一硅膜层以及一器件顶层。本发明公开的具有N型硅埋层的部分绝缘层上硅LDMOS晶体管可以在埋氧层中引入更高的电场强度，从而提高器件的击穿电压；通过N型硅埋层提供的更多的电子，增强晶体管的电流驱动能力，并可以降低器件的导通电阻。

主权项

一种具有N型硅埋层的部分绝缘层上硅LDMOS晶体管，其特征在于，所述晶体管结构自下而上依次含有：一衬底层，所述衬底层的掺杂类型为P型，掺杂浓度为4×1014cm‑3的硅材料；一部分氧化层，其中左半部分为硅窗口，右半部分为埋氧层，所述硅窗口的掺杂类型和浓度与衬底层一致，所述硅窗口长为50μm，述埋氧层采用厚度小于或等于4μm的二氧化硅；一硅膜层，硅膜层顶部左侧为硅体包围着的源区，右侧为漏区，剩余部分则为漂移区，沟道由源区和漂移区之间的硅体提供，漂移区中覆盖于二氧化硅之上，有一层掺杂浓度大于漂移区的N型硅埋层，所述硅埋层的厚度小于2μm，所述硅膜层厚度小于或等于20μm，所述沟道长为1‑5μm，所述源区和漏区长5μm，掺杂类型为N型，掺杂浓度为2×1019cm‑3，所述硅体掺杂类型为P型，掺杂浓度为1×1017cm‑3，所述漂移区长度为90μm，掺杂类型为N型，掺杂浓度为4×1014cm‑3；一器件顶层，器件顶层中，位于沟道上方是栅氧化层，漂移区上方为扩展氧化层，扩展氧化层厚度大于栅氧化层，栅氧化层被栅电极全部覆盖，扩展氧化层靠近沟道的一部分才被场板覆盖，形成梯步栅电极，所述栅氧化层为厚度为20nm的二氧化硅，扩展氧化层采用厚50nm的二氧化硅，场板长为40μm。