[发明专利]一种有机半导体化合物的单晶薄膜及其制备方法与应用有效

专利信息
申请号: 201310397291.8 申请日: 2013-09-04
公开(公告)号: CN103436949A 公开(公告)日: 2013-12-11
发明(设计)人: 董桂芳;赵昊岩;邱勇 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: C30B7/06 分类号: C30B7/06;C30B29/54;H01L51/00
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 关畅;王春霞
地址: 100084 北京市海淀区1*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种有机半导体化合物的单晶薄膜及其制备方法与应用。该方法包括如下步骤:腔室中装入有机半导体化合物的溶液或者将装有所述有机半导体化合物的溶液容器放入腔室中,将基片插入所述有机半导体化合物的溶液中并固定;控制所述腔室内的真空度使所述有机半导体化合物的溶液的有机溶剂挥发,则在所述基片上形成所述有机半导体化合物的单晶薄膜。本发明提供的制备方法,可以均匀制备大面积的有机半导体化合物的单晶薄膜。本发明的制备方法完全避免了空气中的水氧干扰。本发明的单晶薄膜几乎没有缺陷,从而提供了良好的载流子传输通道,在此基础上制备得到的有机半导体器件拥有良好的光电性能。
搜索关键词: 一种 有机半导体 化合物 薄膜 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
一种有机半导体化合物的单晶薄膜的制备方法,包括如下步骤:腔室中装入有机半导体化合物的溶液或者将装有所述有机半导体化合物的溶液容器放入腔室中,将基片插入所述有机半导体化合物的溶液中并固定;控制所述腔室内的真空度使所述有机半导体化合物的溶液的有机溶剂挥发,则在所述基片上形成所述有机半导体化合物的单晶薄膜。
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