[发明专利]喷嘴组件和制造太阳能电池的方法有效
申请号: | 201310398155.0 | 申请日: | 2013-09-04 |
公开(公告)号: | CN104253177B | 公开(公告)日: | 2017-01-11 |
发明(设计)人: | 陈世伟 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/20 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,孙征 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供了一种喷嘴组件和制造太阳能电池的方法,该喷嘴组件包括基部、连接至基部的划片器,以及与基部相连接从而被设置成与划片器的尖端相隔预先确定的距离的喷嘴。该方法总体上包括:设置子结构,该子结构包括接近基部的缓冲层和吸收层。使用划片器尖端穿过缓冲层和吸收层划出P2线。当穿过缓冲层和吸收层划出P2线时,使用喷嘴在预定压力下将纳米颗粒溶液喷洒在缓冲层的至少一部分上,从而防止透明导电氧化物(TCO)层在缓冲层的喷洒有纳米颗粒溶液的部分上方形成。 | ||
搜索关键词: | 喷嘴 组件 制造 太阳能电池 方法 | ||
【主权项】:
一种制造太阳能电池的方法,所述方法包括:设置子结构,所述子结构包括接近划片器尖端的缓冲层和吸收层;使用所述划片器尖端穿过所述子结构的所述缓冲层和所述吸收层划出P2划线;以及当穿过所述缓冲层和吸收层划出所述P2划线时,将二氧化硅纳米颗粒溶液沉积在所述缓冲层的接近所述P2划线的至少一部分上,从而防止透明导电氧化物(TCO)层形成在所述缓冲层的所述至少一部分上方。
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