[发明专利]一种半导体器件有效
| 申请号： | 201310398727.5 | 申请日： | 2013-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN104425447B | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 廖淼 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件，包括位于半导体衬底表面的电熔丝，和位于分别电熔丝的阳极和阴极上的第一导电插塞和第二导电插塞。所述第一和第二导电插塞均包括端部和颈部，所述端部靠近所述中间段，颈部远离所述中间段设置；所述第一和第二导电插塞的在与电熔丝的中间段的垂直方向上的宽度大于所述颈部的宽度。在向所述第一和第二导电插塞施加电压后，电流集中于端部，并由此使得第一和第二导电插塞的上产生热量集中于端部，从而加快对于电熔丝中间段的熔断速率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：位于半导体衬底表面的电熔丝，所述电熔丝包括分别位于两端的阳极和阴极，以及位于阳极和阴极间的中间段；分别位于所述阳极和阴极上的第一导电插塞和第二导电插塞，其特征在于，所述第一导电插塞和第二导电插塞均包括端部和颈部，所述端部靠近所述电熔丝中间段，颈部远离所述电熔丝中间段；其中第一导电插塞的端部在与所述电熔丝中间段垂直的方向上的宽度大于第一导电插塞的颈部，或第二导电插塞的端部在与所述电熔丝中间段垂直的方向上的宽度大于第二导电插塞的颈部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310398727.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：浅沟槽隔离结构边沟问题的测试结构和方法
- 下一篇：三维芯片堆叠件及其形成方法
