[发明专利]鳍式场效应晶体管及其形成方法、半导体器件在审
| 申请号： | 201310398738.3 | 申请日： | 2013-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN104425279A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;王冬江 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种鳍式场效应晶体管及其形成方法、半导体器件，其中鳍式场效应晶体管的形成方法包括：提供基底，在所述基底上形成有伪栅极；在所述伪栅极两侧的基底中形成源极、漏极；在所述基底上形成层间介质层，所述层间介质层上表面与伪栅极上表面持平；去除所述伪栅极，在所述层间介质层中形成伪栅沟槽；对所述伪栅沟槽底部的基底部分进行图形化，在所述源极与漏极之间形成鳍部，所述鳍部两端分别连接源极、漏极；在所述伪栅沟槽中形成横跨鳍部的高K栅介质层和栅极。本技术方案为先形成伪栅极，再形成鳍部，避免形成伪栅极过程中的鳍部高度对栅极高度的影响，实现准确定位栅极高度，栅极高度与预定义高度基本相符，鳍式场效应晶体管中的信号传递可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 形成 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，在所述基底上形成有伪栅极；在所述伪栅极两侧的基底中形成源极、漏极；在所述基底上形成层间介质层，所述层间介质层上表面与伪栅极上表面持平；去除所述伪栅极，在所述层间介质层中形成伪栅沟槽；对所述伪栅沟槽底部的基底部分进行图形化，在所述源极与漏极之间形成鳍部，所述鳍部两端分别连接源极、漏极；在所述伪栅沟槽中形成横跨所述鳍部的高K栅介质层和位于高K栅介质层上的栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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