[发明专利]集成旁路二极管的太阳电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种集成旁路二极管的太阳电池及其制备方法，其特征在于：所述衬底的掺杂类型为P型，衬底上形成有光电转换部。所述衬底形成有至少一个贯穿衬底的过孔，在过孔侧壁及衬底背面的过孔周围形成N型扩散层，在过孔中填充金属，从而在过孔侧壁形成肖特基旁路二极管。光电转换部上的正面电极通过过孔中的填充金属连接至衬底背面。本发明在制备全背电极芯片的过程中集成了旁路二极管，芯片制备封装简单，有利于太阳电池的规模化应用。

主权项

集成旁路二极管的太阳能电池，包括：[0001] P型衬底，至少具有一个贯穿所述衬底的第一过孔；N型扩散层，形成于所述第一过孔的侧壁并向所述P型衬底的背面延伸；金属结构，填充所述第一过孔，其中直接接触所述N型扩散层的部分与所述N型扩散层构成肖特基旁路二极管，另一部分作为导电连接部；光电转换部，形成于所述P型衬底之上，具有贯穿所述光电转换部的第二过孔，其与所述第一过孔对应，所述第二过孔内填充有导电材料并通过一绝缘层与所述光电转换部实现隔离；正面电极，形成于所述光电转换部的正面上，并通过所述第一过孔和第二过孔引至所述衬底的背面。