[发明专利]基片刻蚀方法

摘要

本发明提供的基片刻蚀方法，其包括以下步骤：掩膜制作步骤，在基片的层间介质表面上形成具有预定图形的掩膜；加热预处理步骤，加热基片，以使掩膜的沟槽侧壁倾斜；基片刻蚀步骤，向反应腔室内通入刻蚀气体，并开启激励电源和偏压电源，以在层间介质上刻蚀沟槽，从而将掩膜的图形复制到层间介质上。本发明提供的基片刻蚀方法，其可以在获得理想的沟槽侧壁的倾斜角度的前提下，提高刻蚀速率，从而可以提高工艺效率。

主权项

1.一种基片刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：掩膜制作步骤，在基片的层间介质表面上形成具有预定图形的掩膜；加热预处理步骤，加热所述基片，以使所述掩膜的沟槽侧壁倾斜；基片刻蚀步骤，向反应腔室内通入刻蚀气体，并开启激励电源和偏压电源，以在所述层间介质上刻蚀沟槽，从而将所述掩膜的图形复制到所述层间介质上，所述刻蚀气体包括CxFy类气体、CxHyFz类气体或二者的混合气体，所述CxFy类气体包括C5F8、或C4F8与C5F8的混合气体；其中，所述刻蚀气体的流量为20～200sccm，所述偏压电源输出的偏压功率为400～700W，所述激励电源输出的激励功率为500～5000W，所述反应腔室的腔室压力为5～50mT；并且，通过调节加热时间，以获得所需的层间介质的沟槽侧壁的倾斜角度。