[发明专利]测量导电层厚度的方法有效
| 申请号： | 201310401311.4 | 申请日： | 2013-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN104425303B | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 沈哲敏;李广宁 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01B7/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种测量导电层厚度的方法，包括：使一第一探针和一第二探针扎入待测导电层中，所述第一探针和所述第二探针之间的间距为L1；在所述第一探针和所述第二探针上施加预定电压U1；测量流经所述第一探针和所述第二探针的电流值I1；提供已知厚度的标准导电层的测量数据，所述标准导电层与待测导电层的材料相同，所述标准导电层的厚度为d，所述标准导电层相距为L的两点上施加预定电压U时，流经该两点的电流值为I；待测导电层的厚度d1=I1L1Ud/（ILU1）。本发明提供的测量导电层厚度的方法可有效测量金属层的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 测量 导电 厚度 方法 | ||
【主权项】：
1.一种测量导电层厚度的方法，其特征在于，包括：使一第一探针和一第二探针扎入待测导电层中，所述第一探针和所述第二探针之间的间距为L1；在所述第一探针和所述第二探针上施加预定电压U1；测量流经所述第一探针和所述第二探针的电流值I1；提供已知厚度的标准导电层的测量数据，所述标准导电层与待测导电层的材料相同，所述标准导电层的厚度为d，所述标准导电层相距为L的两点上施加预定电压U时，流经该两点的电流值为I；待测导电层的厚度d1＝I1L1Ud/(ILU1)；所述第一探针和所述第二探针扎入待测导电层中的深度应至少使流经所述第一探针和所述第二探针的电流值I1达到最大值且保持稳定。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
