[发明专利]一种快速制备壳层厚度可控的厚壁CdTe/CdS量子点的方法有效
申请号: | 201310403361.6 | 申请日: | 2013-09-06 |
公开(公告)号: | CN103484122A | 公开(公告)日: | 2014-01-01 |
发明(设计)人: | 汪联辉;宇文力辉;薛冰;翁立星 | 申请(专利权)人: | 南京邮电大学 |
主分类号: | C09K11/88 | 分类号: | C09K11/88;C09K11/02;C01B19/04;B82Y40/00;B82Y30/00 |
代理公司: | 江苏爱信律师事务所 32241 | 代理人: | 唐小红 |
地址: | 210003 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种快速制备壳层厚度可控的厚壁CdTe/CdS量子点的方法,属于纳米材料合成领域。该方法以CdTe量子点为原料,3-巯基丙酸作为稳定剂和硫源,以水为溶剂,将镉盐与3-巯基丙酸按一定比例制成溶液,微波加热反应,通过控制反应条件,即可得到具有不同CdS壳层厚度的CdTe/CdS核-壳型量子点。该方法反应条件温和,操作简便,反应时间短,可生长厚度可控的CdS壳层,制备所得核-壳量子点的发光波长范围连续可调,光稳定性强。 | ||
搜索关键词: | 一种 快速 制备 厚度 可控 cdte cds 量子 方法 | ||
【主权项】:
一种快速制备壳层厚度可控的厚壁CdTe/CdS量子点的方法,其特征包括以下步骤:步骤1、制备作为原料的CdTe量子点溶液:(a)制备镉源:在超纯水中加入镉盐、镉氧化物或者镉氢氧化物,加入3‑巯基丙酸,得到镉浓度为0.0005~0.1 mol/L的镉源,调节溶液的pH值在8~10之间,通入氮气;(b)制备作为碲源的碲氢化钠(NaHTe)或碲氢化钾(KHTe)溶液:将摩尔比为1:1.5 ~1:5的硼氢化钠或硼氢化钾和碲粉置于样品瓶中,抽真空后,在氮气保护下注入超纯水,30~50℃下,超声反应40~90 min;(c)制备CdTe量子点:在镉源溶液中加入碲源,在100℃条件下,油浴加热回流反应0.5~48 h,即得到CdTe量子点溶液;(d)CdTe量子点的纯化:将产物溶液旋蒸浓缩,加入适量异丙醇溶液,高速离心,直至上层液体澄清无色,沉淀加适量超纯水溶解;步骤2、制备CdTe/CdS核‑壳型量子点:(a)将CdTe溶液稀释,测试CdTe量子点溶液的紫外吸收光谱,根据公式计算生长m层CdS需要加入的前体量;(b)配制含有配体和硫源的前体溶液:在超纯水中加入镉盐、镉氧化物或者镉氢氧化物和3‑巯基丙酸(MPA),得到镉与3‑巯基丙酸比例为1:1~1:4的前体溶液,调节pH值在8~10之间;(c)制备CdTe/CdS核‑壳型量子点:在原料CdTe量子点溶液中加入m层量的前体溶液,调节pH值在10~13之间,通入氮气后,在功率100~150W,温度100~170℃下,微波反应5~20 min。
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