[发明专利]一次性可编程存储单元有效
| 申请号： | 201310404318.1 | 申请日： | 2013-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN103680633A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 乔纳森·斯密特;罗伊·米尔顿·卡尔森;陆勇;欧文·海因斯 | 申请（专利权）人： | 美国博通公司 |
| 主分类号： | G11C17/16 | 分类号： | G11C17/16;G11C17/18 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 田喜庆 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一次性可编程存储单元。一种可编程存储单元，包括厚氧化物隔离件晶体管；可编程薄氧化物抗熔丝，被设置为邻近厚氧化物隔离件晶体管；以及第一和第二厚氧化物存取晶体管。厚氧化物隔离件晶体管以及第一和第二厚氧化物存取晶体管可以包括比可编程薄氧化物抗熔丝的氧化层厚的氧化层。可编程薄氧化物抗熔丝和厚氧化物隔离件晶体管可以被原生掺杂。第一和第二厚氧化物存取晶体管可以被掺杂从而具有标准阈值电压特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一次性 可编程 存储 单元 | ||
【主权项】：
一种可编程存储单元，包括：基板，包括原生掺杂注入区；厚氧化物隔离件晶体管，设置在所述原生掺杂注入区内的所述基板上；可编程薄氧化物抗熔丝，设置在与所述厚氧化物隔离件晶体管的第一侧相邻的所述基板上并位于所述基板的所述原生掺杂注入区内；以及第一厚氧化物存取晶体管和第二厚氧化物存取晶体管，设置在所述基板上，所述第一厚氧化物存取晶体管设置在所述厚氧化物隔离件晶体管的第二侧与所述第二厚氧化物存取晶体管之间。
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