[发明专利]一种多晶硅还原炉控温节能系统及工艺有效

专利信息
申请号: 201310404614.1 申请日: 2013-09-06
公开(公告)号: CN103466629A 公开(公告)日: 2013-12-25
发明(设计)人: 陈宏伟;许晟 申请(专利权)人: 上海森松环境技术工程有限公司
主分类号: C01B33/035 分类号: C01B33/035
代理公司: 上海百一领御专利代理事务所(普通合伙) 31243 代理人: 马育麟
地址: 200137 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开一种多晶硅还原炉控温节能系统及工艺,其特征在于包括三氯氢硅集中汽化器、氢气预热器、管道静态混合器、还原炉、硅粉过滤器、尾气控温冷却器;所述氢气预热器2连接到所述管道静态混合器3,所述三氯氢硅集中汽化器连接到所述氢气预热器管程;所述管道静态混合器连接到还原炉;所述还原炉4尾气出气口连接到所述尾气控温冷却器壳程高温气相入口,所述尾气控温冷却器壳程低温气相出口连接到所述氢气预热器壳程气相入口。本系统及其使用方法,使得进料组分均匀、进料温度稳定可控,热能利用充分,合理的降低还原炉及系统的能耗,更好地控制多晶硅的生长质量。而且有效地除去尾气管道的硅粉,保护了尾气管路的阀门以及CDI系统的设备。
搜索关键词: 一种 多晶 还原 炉控温 节能 系统 工艺
【主权项】:
一种多晶硅还原炉控温节能系统,其特征在于包括三氯氢硅集中汽化器、氢气预热器、混合器、还原炉、尾气控温冷却器;所述氢气预热器管程的热氢气出口连接到所述混合器,所述三氯氢硅集中汽化器的气相三氯氢硅出口连接到所述氢气预热器管程的热氢气出口管;所述管道静态混合器的混合气体出口连接到所述还原炉进气口;所述还原炉尾气出气口连接到所述尾气控温冷却器壳程高温气相入口,所述尾气控温冷却器壳程低温气相出口连接到所述氢气预热器壳程气相入口。
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