[发明专利]一种高电子迁移率晶体管有效
| 申请号： | 201310405027.4 | 申请日： | 2013-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN103474460B | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 周伟;吴杰;刘绍斌 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 李明光 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体器件领域，特别涉及一种高电子迁移率晶体管。针对氮化镓基高电子迁移率晶体管的自热效应进行优化设计，其技术方案为：一种高电子迁移率晶体管，包括衬底、衬底以上依次生长的成核层、沟道层、势垒层，以及势垒层上的源极、栅极、漏极、源极与栅极之间及栅极与漏极之间的钝化层；其特征在于，栅极与钝化层之间还设有高热导率材料层，高热导率材料层与势垒层接触。本发明通过高热导率材料层将栅极附近有源区的热能传导到器件的表面，从而有效降低器件有源区的温度，实现器件沟道温度的降低，改善器件的电气特性，使得器件可以在更高温度、更高功率下正常工作，提高器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
一种高电子迁移率晶体管，包括衬底、衬底以上依次生长的成核层、沟道层、势垒层，以及势垒层上的源极、栅极、漏极、源极与栅极之间及栅极与漏极之间的钝化层；其特征在于，栅极与钝化层之间还设有高热导率材料层，高热导率材料层与势垒层接触，高热导率材料层与钝化层接触面为垂直面、斜面或阶梯状表面，所述的高热导率材料层是金刚石晶体、氮化铝、氧化铍、正立方氮化硼或是上述多种高热导率材料的多重薄层。
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