[发明专利]一种PSOI横向高压功率半导体器件

摘要

本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种PSOI横向高压功率半导体器件。本发明的一种横向高压MOSFET，其特征在于，在源端下方引入第二导电类型半导体埋层，避免载流子在源端过度集中，减小器件在源端的功耗，从而改善器件的自加热效应；第二导电类型半导体第一漂移区采用均匀掺杂，第二导电类型半导体第二漂移区采用浓度相对较高的掺杂，可以减小漂移区的电阻率，降低器件的比导通电阻，进而减小器件的功耗和温度。本发明的有益效果为，具有自加热效应良好、导通电阻低、耐压高、版图面积小等诸多优点，降低了工艺难度和成本。本发明尤其适用于PSOI横向高压功率半导体器件。

主权项

一种PSOI横向高压功率半导体器件，其元胞结构包括第一导电类型半导体衬底（1）、埋氧化层（2）、第一导电类型半导体体区（31）、第二导电类型半导体缓冲层（41）、第一导电类型半导体第一重掺杂区（32）、第二导电类型半导体第一重掺杂区（42）、第二导电类型半导体第二重掺杂区（43）、层间介质（51）、栅氧化层(52)、源极金属(61）、漏极金属(62)和多晶硅栅电极(63)，其特征在于，还包括第一导电类型半导体埋层(34)、第二导电类型半导体第一漂移区(44)、第二导电类型半导体第二漂移区(45)和第二导电类型半导体埋层（46）；其中，第一导电类型半导体埋层（34）、第二导电类型半导体埋层（46）和埋氧化层（2）依次连接并覆盖在第一导电类型半导体衬底（1）上表面，第一导电类型半导体体区（31）设置在第一导电类型半导体埋层（34）上表面，第一导电类型半导体第一重掺杂区（32）和第二导电类型半导体第一重掺杂区（42）分别独立设置在第一导电类型半导体体区（31）中，第二导电类型半导体第一漂移区（44）设置在第二导电类型半导体埋层（46）上表面，第二导电类型半导体第二漂移区（45）设置和在第二导电类型半导体缓冲层（41）设置在埋氧化层（2）的上表面，第一导电类型半导体体区（31）、第二导电类型半导体第一漂移区（44）、第二导电类型半导体第二漂移区（45）和第二导电类型半导体缓冲层（41）依次连接，第二导电类型半导体第二重掺杂区（43）设置在第二导电类型半导体缓冲层（41）中，源极金属(61）设置在第一导电类型半导体第一重掺杂区（32）和部分第二导电类型半导体第一重掺杂区（42）的上表面，漏极金属(62)设置在部分第二导电类型半导体第二重掺杂区（43）的上表面，栅氧化层(52)设置在部分第二导电类型半导体第一重掺杂区（42）和第一导电类型半导体体区（31）的上表面，多晶硅栅电极(63)设置在栅氧化层(52)的上表面，层间介质（51）填充在源极金属(61）、漏极金属(62)之间将源极金属(61）、漏极金属(62)和多晶硅栅电极(63)相互隔离。