[发明专利]低温下制备具有高度(001)择优取向的钌酸锶薄膜的方法有效
| 申请号： | 201310407759.7 | 申请日： | 2013-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN104419895B | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 董显林;李涛;王根水;陈莹 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低温下制备具有高度(001)择优取向的钌酸锶薄膜的方法，以硅片为衬底，引入LaNiO3缓冲层后采用SrRuO3靶材在400~600℃的温度范围内溅射获得所述具有高度(001)择优取向的SrRuO3薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 制备 具有 高度 001 择优取向 钌酸锶 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种低温下制备具有高度(001)择优取向的SrRuO3薄膜的方法，其特征在于，以硅片为衬底，引入LaNiO3缓冲层后采用SrRuO3靶材在400～600℃的温度范围内溅射获得所述具有高度(001)择优取向的SrRuO3薄膜；所述方法包括：利用直流溅射的方式沉积LaNiO3缓冲层：将洗净的硅衬底放入溅射仪中，抽真空至10‑4Pa以下；保持所述硅衬底的温度在300～450℃；通入氧气与氩气作为溅射气体，控制氧分压为15～25%，并使溅射气体的总气压保持在2.5～3.5Pa，采用LaNiO3靶材利用直流溅射的方式沉积LaNiO3薄膜，其中溅射功率为70～90W，溅射时间为10～20分钟；以及采用射频磁控溅射的方式沉积SrRuO3薄膜：将上述沉积有LaNiO3缓冲层的硅衬底升温至400～600℃，控制溅射气体的总气压为5～20Pa，且氧分压为20～50%，采用SrRuO3靶材利用射频磁控溅射的方式沉积SrRuO3薄膜，其中溅射功率为60～90W。
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