[发明专利]电容器阴极箔结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201310407796.8 | 申请日： | 2013-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN103545110A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 林清封;陈明宗;王懿颖 | 申请（专利权）人： | 钰邦电子（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01G9/042 | 分类号： | H01G9/042;H01G9/045 |
| 代理公司： | 北京中恒高博知识产权代理有限公司 11249 | 代理人： | 刘洪京 |
| 地址： | 214000 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种电容器阴极箔结构之制造方法，包括以下之步骤：首先，提供一基箔，并将该基箔置入一反应腔室；接着，进行一加热程序，将该基箔加热到400℃至1000℃间之一温度；之后，将碳前驱物通入该反应腔室；之后，进行一冷却程序，将该基箔冷却低于100℃之一温度，以沉积一石墨烯层于该基箔之表面，并且该石墨烯层系由复数层石墨烯薄膜相互堆栈所构成；及最后，将一抗氧化层沉积于石墨烯层上。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 阴极 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种电容器阴极箔结构之制造方法，包括以下之步骤：提供一基箔，并将该基箔置入一反应腔室；进行一加热程序，将该基箔加热到400℃至1000℃间之一温度；将碳前驱物通入该反应腔室；以及进行一冷却程序，将该基箔冷却低于100℃之一温度，以沉积一石墨烯层于该基箔之表面，并且该石墨烯层系由复数层石墨烯薄膜相互堆栈所构成。
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