[发明专利]一种CMOS图像传感器及其制造方法

摘要

一种CMOS图像传感器，包括：半导体基底；设置在半导体基底内的感光单元、晶体管；介质层，设置在半导体基底和晶体管之栅极的表面，并进一步在介质层内形成与晶体管电连接的互连层；光学通路，设置在感光单元上方；平坦化层，设置在介质层表面；侧壁，间隔设置在平坦化层上；彩色滤光片，进一步包括间隔设置在侧壁之间的子像素区域；以及微透镜，对应设置在所述彩色滤光片之子像素区域上。本发明在彩色滤光片之子像素区域之间设置二氧化硅侧壁，便可通过二氧化硅侧壁将经过微透镜、彩色滤光片的光进行反射到达感光单元，增加感光单元的光接收量，改善CMOS图像传感器的光量子效应，降低模式噪音，更好的提高光学成像质量。

主权项

一种CMOS图像传感器，其特征在于，所述CMOS图像传感器包括：半导体基底，所述半导体基底的材料为半导体材料；感光单元，所述感光单元间隔设置在所述半导体基底内，并分别用于感测红（R）、绿（G）、蓝（B）三色光；晶体管，所述晶体管进一步包括源极、漏极、栅极，所述源极、漏极设置在所述半导体基底内，所述栅极设置在所述半导体基底之上表面，且所述晶体管与所述感光单元电连接；介质层，所述介质层设置在所述半导体基底和所述晶体管之栅极的表面，并进一步在所述介质层内形成所述互连层，所述互连层与所述晶体管电连接；光学通路，所述光学通路设置在所述感光单元上方，并具有与所述介质层至少相同的深度；平坦化层，所述平坦化层设置在所述介质层之异于所述感光单元一侧的表面；侧壁，所述侧壁间隔设置在所述平坦化层上，且所述侧壁之邻近所述平坦化层的下边侧之宽度大于所述侧壁之远离所述平坦化层的上边侧之宽度；彩色滤光片，所述彩色滤光片设置在所述平坦化层之异于所述介质层一侧，并进一步包括间隔设置在所述侧壁之间的子像素区域，所述子像素区域之红（R）、绿（G）、蓝（B）三原色光便通过所述光学通路分别与所述感光单元之红（R）、绿（G）、蓝（B）感光单元对应设置；以及，微透镜，所述微透镜对应设置在所述彩色滤光片之子像素区域上。