[发明专利]叠层结构体、半导体制造装置用构件及叠层结构体的制造方法在审
| 申请号： | 201310410613.8 | 申请日： | 2013-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN103681793A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 神藤明日美;井上胜弘;胜田祐司 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/12 | 分类号： | H01L29/12;H01L21/477;H01L21/225;C04B35/00 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人： | 李晓 |
| 地址： | 日本爱知县名古*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种叠层结构体(10)，具备：以氮氧化铝镁为主相的第1结构体(12)，以氮化铝为主相、含有具有石榴石型晶体结构的稀土类铝复合氧化物晶界相的第2结构体(14)，存在于第1结构体(12)和第2结构体(14)之间的反应层(15)，所述反应层(15)是稀土类铝复合氧化物晶界相(18)稀薄的氮化铝层。该叠层结构体(10)的反应层(15)的厚度在150μm以下。此外，叠层结构体(10)的第1结构体(12)与第2结构体(14)的线性热膨胀系数差在0.3ppm/K以下。叠层结构体(10)在第2结构体(14)烧成时，通过晶界相(18)向第1结构体(12)一侧扩散，由该晶界相(18)变得稀薄的扩散界面(17)形成反应层(15)。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 半导体 制造 装置 构件 方法 | ||
【主权项】：
一种叠层结构体，包括第1结构体、第2结构体以及存在于所述第1结构体和所述第2结构体之间的反应层，所述第1结构体以氮氧化铝镁为主相，所述第2结构体以氮化铝为主相，含有具有石榴石型晶体结构的稀土类铝复合氧化物相，所述反应层是稀土类铝复合氧化物晶粒含量低于所述第2结构体的氮化铝层，所述反应层的厚度在150μm以下，所述第1结构体与所述第2结构体的线性热膨胀系数差在0.3ppm/K以下。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本碍子株式会社，未经日本碍子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310410613.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：温度测量仪以及用于温度测量的方法
- 下一篇：无线功率控制
- 同类专利
- 专利分类
