[发明专利]一种反熔丝结构有效
| 申请号： | 201310410836.4 | 申请日： | 2013-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN104425448B | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 甘正浩;冯军宏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种反熔丝结构，包括：NMOS晶体管，所述NMOS晶体管中边缘处的沟道长度大于中心处的沟道长度；编程晶体管，所述NMOS晶体管中的源区与所述编程晶体管相连，所述NMOS晶体管中的漏区与编程电源相连。本发明所述反熔丝结构包括一MOS晶体管，所述MOS晶体管中边缘部分的沟道长度大于中心部分的沟道的长度，相应的，所述栅极结构中两端的关键尺寸大于中间部位的关键尺寸，所述反熔丝结构编程时在所述漏区和编程晶体管上施加编程电压后，引发源区和漏区的击穿，形成通路，起到反熔丝的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 反熔丝 结构 | ||
【主权项】：
1.一种反熔丝结构，包括：NMOS晶体管，所述NMOS晶体管中边缘处的沟道长度大于中心处的沟道长度；编程晶体管，所述NMOS晶体管中的源区与所述编程晶体管相连，所述NMOS晶体管中的漏区与编程电源相连；所述NMOS晶体管包括整体呈哑铃状的栅极结构，以使所述反熔丝结构得到一致的熔断状态。
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