[发明专利]限制电路和用于限制半导体晶体管上的电压的方法有效
| 申请号： | 201310410985.0 | 申请日： | 2013-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN103683253B | 公开（公告）日： | 2018-08-14 |
| 发明（设计）人： | T.波伊泽 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 臧永杰;刘春元 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及限制电路和用于限制半导体晶体管上的电压的方法。本发明涉及用于至少一个半导体晶体管的限制电路，具有限制路径和电压源，所述限制路径耦合在所述半导体晶体管的第一功率端子和第二功率端子之间并且具有限制晶体管，其中所述限制路径在所述限制晶体管和所述半导体晶体管的所述第二功率端子之间的节点与所述半导体晶体管的控制端子耦合，所述电压源与所述限制晶体管的控制端子耦合，并且所述电压源被设计用于，给所述限制晶体管的所述控制端子加载控制电压，所述控制电压相应于用于所述半导体晶体管的所述第一功率端子和所述第二功率端子之间的电压的极限电压，在所述限制晶体管的功率端子处对所述极限电压的超出对限制晶体管加偏压。 | ||
| 搜索关键词： | 限制 电路 用于 半导体 晶体管 电压 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于至少一个半导体晶体管（15）的限制电路（1），具有：限制路径（2），所述限制路径耦合在所述半导体晶体管（15）的第一功率端子（25）和第二功率端子（26）之间，并且具有限制晶体管（5），其中所述限制路径（2）在所述限制晶体管（5）和所述半导体晶体管（15）的所述第二功率端子（26）之间的节点（6）与所述半导体晶体管（15）的控制端子（27）耦合，和电压源（7），所述电压源与所述限制晶体管（5）的控制端子（9）耦合，并且所述电压源被设计用于，给所述限制晶体管（5）的所述控制端子（9）加载控制电压，所述控制电压相应于用于所述半导体晶体管（15）的所述第一功率端子（25）和所述第二功率端子（26）之间的电压的极限电压，在所述限制晶体管（5）的功率端子处对所述极限电压的超出对所述限制晶体管（5）加偏压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于罗伯特·博世有限公司，未经罗伯特·博世有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310410985.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
