[发明专利]一种多孔C/C为内衬的轻质防氧化材料结构的制备方法

摘要

一种多孔C/C为内衬的轻质防氧化材料结构制备方法。以石墨作为内衬，在其表面缠绕或编织C纤维形成预制件，以甲烷或天然气作为碳的气源，氢气或氩气作为稀释气体和载气，将上述C纤维预制件放入沉积炉中沉积热解C基体，除去石墨芯，得到多孔C/C预制体，并对多孔体进行超声波振荡清洗，然后烘干直到质量不再变化，在预制体表面缠绕碳布或C预浸布，沉积一薄层热解C界面，采用CVI法制备SiC基体，最后CVD制备SiC涂层。采用化学气相渗透过程中对纤维骨架没有损坏，保证了复合材料的完整性与强度，CVD得到的SiC涂层对内衬C/C复合材料去氧化保护作用，得到的复合材料组织均匀，质量轻质化。

主权项

一种多孔C/C为内衬的轻质防氧化材料结构的制备方法，其特征在于包括以下顺序的制备步骤：(1)以石墨作为内衬，在其表面缠绕或编织C纤维形成预制件；(2)以甲烷或天然气作为碳的气源，氢气或氩气作为稀释气体和载气，将上述C纤维预制件放入沉积炉中沉积热解C基体，升温速率为8～10℃/min，沉积温度为950～1500℃，沉积时间为100～300h；(3)除去石墨芯，得到多孔C/C预制体，并对多孔体进行超声波振荡清洗2～4次，然后在80～120℃烘箱中烘2～4h，直到质量不再变化；(4)在预制体表面缠绕碳布或C预浸布，沉积一薄层热解C界面；(5)采用CVI法制备SiC基体，以三氯甲基硅烷作为SiC的气源，以氢气或氩气作为稀释气体和载气，进行碳气相渗透碳化硅，CVI温度为1000～1300℃，时间为100～300h；(6)最后CVD制备SiC涂层，以三氯甲基硅烷作为SiC的气源，以氢气或氩气作为稀释气体和载气，进行碳化硅沉积，沉积温度为1000～1300℃，沉积时间为30～45h。