[发明专利]铬铝硅合金靶材及其制备方法有效
| 申请号： | 201310412617.X | 申请日： | 2013-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN104419859B | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 张凤戈;唐培新;姚伟;张路长;姜海;赵雷;高明 | 申请（专利权）人： | 安泰科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C22C27/06 | 分类号： | C22C27/06;C22C21/00;C22C21/02;C22C30/00;C22C1/05;C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387 | 代理人： | 刘春成;张向琨 |
| 地址： | 100081 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种铬铝硅合金靶材及其制备方法。该合金靶材按原子百分比由以下成分组成：铬5‑75%，铝10‑90%，硅1‑20%。其制备方法包括：制备合金粉末、冷等静压处理、脱气处理、热等静压处理以及机加工步骤。本发明的铬铝硅合金靶材具有致密度高、无气孔和偏析，组织均匀，晶粒细小等优点，适用于多种刀具、模具涂层溅射使用。 | ||
| 搜索关键词： | 铬铝硅 合金 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种铬铝硅合金靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，合金粉末的制备：是采用雾化制粉方法制备的或者在混料机中直接将平均粒径符合要求的原料进行混合制备的；步骤二，对制备好的所述合金粉末进行冷等静压处理，所述冷等静压处理是在20‑190MPa压力下进行的，保压时间为10‑20min；步骤三，对所述冷等静压处理后的料坯进行脱气处理；步骤四，对所述脱气处理后的料坯进行热等静压处理，所述热等静压处理的保温温度为800‑1300℃，保温时间为2‑5h，压力为120‑150MPa；步骤五，对所述热等静压处理后的料坯进行机加工，清洗后得到所需要的成品合金靶材；所述铬铝硅合金靶材，按原子百分比由以下成分组成：铬5‑75％，铝10‑90％，硅1‑20％。
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