[发明专利]一种新型光刻对准方法有效
| 申请号： | 201310413296.5 | 申请日： | 2013-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN104460246B | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 李志丹;李喆;张俊 | 申请（专利权）人： | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种光刻对准方法，其特征在于：使用同轴对准光源将制作在掩模版上的对准标记曝光在基底周围的非成品芯片区域，且后续曝光场分布避开该对准标记区域，且后续曝光过程中通过识别所述对准标记进行对准。本发明可以有效实现接近接触式光刻机与投影光刻机的混用问题，节省生产成本，减少成品芯片的浪费。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 光刻 对准 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光刻对准方法，其特征在于，用于LED芯片制作工艺，包括：MESA光刻工艺中使用接近接触式光刻机，将十字标记曝光在基底两侧；ITO光刻工艺中使用接近接触式光刻机，参照所述十字标记进行对准，使用的ITO光刻掩模版的对准标记区不透光；PAD光刻工艺中使用步进光刻机，参照所述十字标记进行对准，并使用同轴对准光源将制作在PAD光刻掩模版上的对准标记曝光在所述基底周围的非成品芯片区域形成对准标记区域；对所述基底执行PAD光刻，且PAD光刻的曝光场分布避开所述对准标记区域；SiO2光刻工艺使用步进光刻机，曝光过程中通过识别所述对准标记区域进行对准。
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