[发明专利]一种组合薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 201310413317.3 | 申请日： | 2013-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN103489750A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 金魁;袁洁;许波 | 申请（专利权）人： | 金魁 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/203 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 提供一种利用组合激光分子束外延技术制备组合薄膜的方法，包括：提供衬底；提供对应于组合薄膜中的各个组分的多个不同组分的前驱靶材；依次对各个不同组分的前驱靶材进行激光轰击，从而溅射出相应的前驱组分；提供具有掩模图案的掩模板；利用掩模板使上述溅射出的相应的前驱组分沉积在衬底上，从而获得组合薄膜。本发明提供的方法通过轴向转动代替机械手运动以及连续匀速地轴向运动可避免由于掩模的停止-再启动过程中引起的组分的不连续性，同时不需编写程序控制掩模转动，从而降低了工艺的操作复杂度。此外可通过调整掩模板上的窗口的形状和位置实现多种组分薄膜的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 组合 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种利用组合激光分子束外延技术制备组合薄膜的方法，该方法包括：提供衬底；提供对应于组合薄膜中的各个组分的多个不同组分的前驱靶材；依次对各个不同组分的前驱靶材进行激光轰击，从而溅射出相应的前驱组分；提供具有掩模图案的掩模板；利用掩模板使上述溅射出的相应的前驱组分沉积在衬底上，从而获得组合薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
