[发明专利]一种LED芯片高温混酸腐蚀切割道的方法

摘要

本发明公开了一种LED芯片高温混酸腐蚀切割道的方法，首先在将COW成品用丙酮，异丙醇超声清洗干净，同时用清水将去除剩余的化学杂质，然后将COW进行高温烘烤，随后在COW表面沉积高致密性SiO2，接着根据COW表面芯粒之间的切割道，用镭射进行正面切割，同时将浓硫酸和浓磷酸以1：4比例进行混合，并加热至245℃～255℃后，将正划后的COW放置于混酸中进行腐蚀10min后取出，最后用BOE将高温酸腐蚀后的COW表面的SiO2湿法刻蚀干净后，进行劈裂，并按正常LED芯片流程进行作业；本工艺具有操作简单可行，既符合LED芯片的正常工艺流程，又能去除镭射正划COW后产生的吸光产物，从而使COW的芯粒亮度不受到损失。

主权项

一种LED芯片高温混酸腐蚀切割道的方法，其特征在于包括以下步骤：（1）将COW用丙酮，异丙醇超声清洗10min，清水冲洗5min后，旋干，并在烤箱中120℃烘烤10min；（2）在COW表面沉积1μm的高致密SiO2做为掩膜；（3）根据COW表面芯粒之间的切割道，用镭射在其表面进行切割，激光光斑的宽度为8μm～10μm，划深为35μm～40μm；（4）将浓硫酸和浓磷酸混合均匀后，将混酸加热至特定温度；（5）将镭射切割后的COW用耐酸性陶瓷提篮放置于混酸中，放置10min取出；（6）用BOE将高温酸腐蚀后的产品表面的SiO2湿法腐蚀干净；（7）上述成品研磨至100μm，背劈后便可以按照正常LED芯片流程作业，直至方片入库。