[发明专利]一种ITO粗化的蒸镀方法无效
申请号: | 201310414877.0 | 申请日: | 2013-09-12 |
公开(公告)号: | CN103451605A | 公开(公告)日: | 2013-12-18 |
发明(设计)人: | 郁彬 | 申请(专利权)人: | 昆山奥德鲁自动化技术有限公司 |
主分类号: | C23C14/30 | 分类号: | C23C14/30;C23C14/08;C23C14/02 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
地址: | 215300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种用分步ITO蒸镀代替传统ITO蒸镀进行ITO粗化的方法;将浓硫酸和双氧水按照2:1的比例进行混合,同时降温至100度,将外延片放置其中进行充分清洗5min后,取出用清水冲洗干净。将清洗后外延片固定于镀锅内,采用ITO分步蒸镀的方式,改变每层ITO蒸镀时的速率和氧流量,从而使外延片最外层ITO达到粗化的效果;本工艺具有操作简单可行,按照上述流程蒸镀后的ITO表面粗化效果佳,出光效率后,极大得提高了LED芯片的外量子效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 ito 方法 | ||
【主权项】:
一种ITO粗化的蒸镀方法,其特征在于包括以下步骤:(1)将浓硫酸和双氧水按照2:1进行混合,同时将混酸降温至100℃;(2)将外延片用提篮在混酸中进行充分清洗10min后,用清水进行冲洗,去除残留的化学物质;(3)将清洗后的外延片固定于镀锅后,进行E‑Beam轰击ITO靶材,进行ITO蒸镀;(4)ITO蒸镀的厚度为900A,采用分步蒸镀的方式进行蒸镀;(5)ITO蒸镀后按照正常LED芯片流程进行作业,直至芯粒以方片入库。
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