[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201310415331.7 | 申请日： | 2013-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN103681536B | 公开（公告）日： | 2018-07-13 |
| 发明（设计）人： | 田中孝征;岩见佳奈 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/56;H01L25/07 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 褚海英;陈桂香 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种可以形成具有适宜宽度的倒角而且同时防止设计自由度的降低的半导体装置及其制造方法，所述半导体装置包括：第一半导体芯片及第二半导体芯片，所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片彼此凸块接合，所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片之间的间隙被从所述第一半导体芯片上的指定位置注入的树脂密封，以使得通过凸块接合而形成的凸块间空隙被所述树脂填充；以及多个凹凸部，其形成于所述第一半导体芯片的与所述第二半导体芯片接合的表面侧上并具有突出部，所述突出部跨过所述多个凹凸部中的形成于所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片之间的接合区域的周围部分中的凸部之中的至少一个凸部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体芯片 半导体装置 凸块接合 凹凸部 突出部 凸部 设计自由度 接合区域 树脂密封 树脂填充 接合 倒角 凸块 跨过 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其包括：第一半导体芯片及第二半导体芯片，所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片彼此凸块接合，并且所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片之间的间隙被从所述第一半导体芯片的与所述第二半导体芯片接合的表面上的指定位置注入的树脂密封，以使得通过凸块接合所形成的凸块间空隙被所述树脂填充；以及多个凹凸部，其形成于所述第一半导体芯片的与所述第二半导体芯片接合的所述表面侧上并具有突出部，所述突出部跨过所述多个凹凸部中的形成于所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片之间的接合区域的周围部分中的凸部之中的至少一个凸部。
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