[发明专利]阵列型片式电阻器及其制造方法有效
| 申请号： | 201310415369.4 | 申请日： | 2013-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN104240881B | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 金正逸;黄夏星;金海仁;田中一郎;权五星 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H01C13/02 | 分类号： | H01C13/02;H01C17/075 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人： | 金光军,刘奕晴 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种阵列型片式电阻器，包括片式本体；四对下电极，被布置在所述片式本体的下表面的两侧，并且形成该四对下电极以延伸至所述片式本体的边缘；侧电极，形成该侧电极以使所述下电极被延伸至所述片式本体的侧面；以及电阻器，被插在所述片式本体的下表面的下电极之间并通过接触部分电连接至所述下电极，其中在所述侧电极的宽度被定义为d1、邻近侧电极之间的距离被定义为d2及所述侧电极的高度被定义为h时，在d1/d2为0.5至1.5的情况下，h的值为4300/d1μm或更大以及为0.24d2+87.26μm或更小。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 型片式 电阻器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种阵列型片式电阻器，包括：片式本体；四对下电极，所述四对下电极被布置在所述片式本体的下表面的两侧上并且被形成以延伸至所述片式本体的边缘；侧电极，该侧电极被形成以使所述下电极被延伸至所述片式本体的侧面；以及电阻器，该电阻器被插在所述片式本体的所述下表面的所述下电极之间并通过接触部分电连接至所述下电极，其中在所述侧电极的宽度被定义为d1，d1在140至233μm之间，邻近侧电极之间的距离被定义为d2及所述侧电极的高度被定义为h时，在d1/d2为0.5至1.5的情况下，h的值为4300/d1μm或更大以及为0.24d2+87.26μm或更小。
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