[发明专利]利用三氟化氮抑制高介电常数栅介质层和硅衬底之间界面层生长的方法无效
| 申请号： | 201310416064.5 | 申请日： | 2013-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN103617949A | 公开（公告）日： | 2014-03-05 |
| 发明（设计）人： | 孙清清;杨雯;王鹏飞;张卫;周鹏 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/283 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于半导体集成电路工艺技术领域，具体涉及一种利用NF3抑制高k栅介质层和硅衬底之间界面层生长的方法。本发明在淀积高k栅介质层前先用NF3等离子体对硅衬底进行预处理，能够有效地防止氧气在硅衬底中的扩散，从而抑制高k栅介质层和硅衬底之间界面层的生长，降低高k栅介质层的等效氧化层厚度，使得器件的击穿特性等性能得到改善。另外，氮原子对高k栅介质层中的缺陷以及高k栅介质层和硅衬底的界面陷阱还有很好的钝化作用，这使得器件的电特性等方面的性能也得到了改善。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 氟化 抑制 介电常数 介质 衬底 之间 界面 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种利用三氟化氮抑制高介电常数栅介质层和硅衬底之间界面层生长的方法，其特征在于具体步骤为：清洗硅衬底并对硅衬底进行干燥处理；用三氟化氮等离子体对干燥后的硅衬底表面进行处理；在经过三氟化氮等离子体处理后的硅衬底表面生长一层高介电常数栅介质层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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