[发明专利]一种高压器件及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种高压器件及其制造方法。本发明的高压器件集成在第一种导电类型半导体衬底上，包括第二种导电类型半导体漂移区、第二种导电类型半导体源区、第二种导电类型半导体漏区、第二种导电类型半导体重掺杂层、第一种导电类型半导体体区、第一种导电类型半导体体接触区、第一种导电类型半导体降场层、栅氧化层、场氧化层、金属前介质、多晶硅栅电极、源极金属、漏极金属，第二种导电类型半导体重掺杂层设置在场氧化层和第一种导电类型半导体降场层之间。本发明的有益效果为，在相同的导通能力的情况下具有更小的芯片面积，优化器件的表面电场，并且制备方法简单，工艺难度较低。本发明尤其适用于高压器件。

主权项

一种高压器件，其元胞结构包括第一种导电类型半导体衬底（1）、第二种导电类型半导体漂移区（21）、第二种导电类型半导体源区（22）、第二种导电类型半导体漏区（23）、第一种导电类型半导体体区（31）、第一种导电类型半导体体接触区（32）、第一种导电类型半导体体区埋层（33）、第一种导电类型半导体降场层（34）、栅氧化层（41）、场氧化层（42）、金属前介质（43）、多晶硅栅电极（51）、源极金属（52）和漏极金属（53），所述第二种导电类型半导体漂移区（21）、第一种导电类型半导体体区（31）和第一种导电类型半导体体区埋层（33）设置在第一种导电类型半导体衬底（1）中，所述第一种导电类型半导体体区埋层（33）设置在第一种导电类型半导体体区（31）的下表面，所述第一种导电类型半导体降场层（34）和第二种导电类型半导体漏区（23）设置在第二种导电类型半导体漂移区（21）中，所述第二种导电类型半导体源区（22）和第一种导电类型半导体体接触区（32）设置在第一种导电类型半导体体区（31）中并相互独立，所述场氧化层（42）设置在第二种导电类型半导体漂移区（21）的上表面，所述栅氧化层（41）设置在部分第二种导电类型半导体源区（22）的上表面、第一种导电类型半导体体区（31）的上表面和第二种导电类型半导体漂移区（21）的上表面并与场氧化层（42）连接，所述多晶硅栅电极（51）设置在栅氧化层（41）的上表面和部分场氧化层（42）的上表面，所述源极金属（52）设置在第一种导电类型半导体体接触区（32）的上表面、部分第二种导电类型半导体源区（22）的上表面，所述漏极金属（53）设置在部分第二种导电类型半导体漏区（23）的上表面，所述金属前介质（43）填充在源极金属（52）和漏极金属（53）之间，源极金属（52）和漏极金属（53）在金属前介质（43）上表面延伸形成场板，其特征在于，还包括第二种导电类型半导体重掺杂层，所述第二种导电类型半导体重掺杂层由分为多段的第二种导电类型半导体区域构成并设置在第一种导电类型半导体降场层（34）和场氧化层（42）之间。