[发明专利]用于电池组保护MOSFET的公共漏极电源夹件

摘要

本申请涉及用于电池组保护MOSFET的公共漏极电源夹件。第一实施例为公共漏极+夹件（20）。该实施例具有位于其下表面的常规的漏极接触并以倒装芯片的方式安装在半刻蚀的引线框架（40）上，该引线框架（40）具有连接到芯片（20）的源极、栅极和公共漏极上的外部源极、栅极和漏极接触。公共漏极夹件（50）将漏极（30）连接到相对的栅极接触之间的外部接触上。第二实施例为直通漏极实施例+散热块。器件（80）具有穿过芯片的底部延伸到公共漏极（30）的上部漏极接触（36）并以倒装芯片的方式安装在半刻蚀的引线框架上，该引线框架具有连接到芯片（80）的源极、栅极和公共漏极上的外部源极、栅极和漏极接触。

主权项

一种封装的半导体器件，包括：引线框架，其具有延伸到外部端子上的源极引线、栅极引线和漏极引线；单个半导体衬底，其具有上表面和下表面以及第一MOSFET和第二MOSFET，每个MOSFET具有位于所述衬底的所述上表面的源极接触区域和栅极接触区域，所述源极接触区域和栅极接触区域通过所述衬底相互隔离，且所述衬底具有位于所述衬底的所述下表面上并连接到两个MOSFET上的公共漏极；构件，其用于将所述引线框架的源极外部端子、栅极外部端子和漏极外部端子连接到所述衬底的所述源极、栅极和公共漏极上；金属部件，其耦合到所述衬底上且位于所述衬底的与所述引线框架相对的表面上；以及模塑料，其将所述引线框架、所述衬底和所述金属部件嵌入到绝缘树脂中并将所述引线框架的连接到所述衬底的所述源极、栅极和直通漏极区域上的外部端子暴露在外。