[发明专利]一种MEMS陀螺仪芯片双面阳极键合工艺有效
| 申请号： | 201310419006.8 | 申请日： | 2013-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN103508414A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 刘胜;汪学方;方靖;付兴铭 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学;无锡惠思顿科技有限公司 |
| 主分类号： | B81C3/00 | 分类号： | B81C3/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提出这样一种阳极键合工艺方法：将MEMS陀螺仪器件层沉积到临时高分子衬底上，完成金属电极沉积和MEMS结构刻蚀之后，将临时高分子衬底用化学机械抛光的方法去除。去除之后，将玻璃基体和玻璃盖帽分别紧贴MEMS结构的的两侧，加电加热后一次完成双面阳极键合。这种工艺方法与传统的两次阳极键合分两步进行相比，更加节省成本，而且避免了第二次阳极键合对第一次阳极键合强度削弱这个固有缺点，使得产品可靠性提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 陀螺仪 芯片 双面 阳极 工艺 | ||
【主权项】：
一种MEMS陀螺仪芯片双面阳极键合工艺，其步骤包括：第1步 在高分子衬底上沉积器件层硅；第2步 在器件层硅上进行光刻，并制作金属电极；第3步 在器件层硅上再次光刻，然后深刻蚀，直到器件层硅刻蚀穿，得到陀螺仪的微结构；第4步 去掉高分子衬底，剩下的仅为带有金属电极的器件层硅；第5步 玻璃基板一侧刻蚀有凹槽，玻璃盖帽上分别从两侧刻蚀凹槽和通孔，玻璃基板和玻璃盖帽加工有凹槽的一侧分别紧贴器件层硅的两侧，然后两面阳极键合；第6步 在玻璃盖帽的通孔中溅射或者蒸发金属引线材料，形成金属引线。
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