[发明专利]一种二氧化硅介电材料用化学机械抛光液及其制备方法有效
| 申请号： | 201310419636.5 | 申请日： | 2013-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN103484024A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 梁晨亮;王良咏;宋志棠;刘卫丽;秦飞 | 申请（专利权）人： | 上海新安纳电子科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 梁海莲 |
| 地址： | 201506 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种二氧化硅介电材料用化学机械抛光液，以所述化学机械抛光液的总重量为基准计，包含以下重量百分比的组分：氧化物抛光颗粒1-50wt%；余量为pH调节剂和水性介质；其中所述氧化物抛光颗粒为胶体二氧化硅；制备过程中：先制备硅酸水溶液，然后取所述硅酸水溶液加热至沸15-60min，继而3分钟内“速冷”至20~50℃，然后重新加热至沸，然后持续滴入前述制备的硅酸水溶液制得胶体二氧化硅溶液，然后过滤、浓缩得到硅溶胶；继而加水性介质稀释并用pH调节剂调节酸碱性即制得所述化学机械抛光液；将所述抛光液应用于半导体中氧化硅介电材料的CMP工艺领域中，具有大大提高氧化硅薄膜去除速率的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二氧化硅 材料 化学 机械抛光 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种二氧化硅介电材料用化学机械抛光液，以所述化学机械抛光液的总重量为基准计，包含以下重量百分比的组分：氧化物抛光颗粒 1‑50wt%；余量为pH调节剂和水性介质。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海新安纳电子科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所，未经上海新安纳电子科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310419636.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
