[发明专利]一种TSV平坦化方法有效
| 申请号： | 201310419924.0 | 申请日： | 2013-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN103474395A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 张文奇;顾海洋;宋崇申;于大全;上官东恺 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区太湖国*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种TSV平坦化方法，包括以下步骤：第一步，采用机械刮平的方式，处理完成TSV电镀的晶圆表面，消除表面凸出或凹坑；第二步，采用湿法腐蚀或电化学抛光的方式，减薄晶圆表面金属层；第三步，化学机械抛光，去除晶圆表面剩余金属层及扩散阻挡层。本发明的优点是：本发明在电镀填充后采用机械刮平的方式处理表面，消除凸出、凹陷等局部平坦化问题，而后再结合电化学抛光和CMP，提供TSV平坦化解决方案，该方案采用三步的方式，可以补偿电镀的部分缺陷，降低对TSV电镀填充步骤的压力，同时也降低了CMP工艺的压力，可以提高成品率，降低总体制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tsv 平坦 方法 | ||
【主权项】：
一种TSV平坦化方法，其特征是，包括以下步骤：第一步，采用机械刮平的方式，处理完成TSV电镀的晶圆表面，消除表面凸出或凹坑；第二步，采用湿法腐蚀或电化学抛光的方式，减薄晶圆表面金属层；第三步，化学机械抛光，去除晶圆表面剩余金属层及扩散阻挡层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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