[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201310420431.9 | 申请日： | 2008-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN103606559A | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 余振华;张正宏;叶震南;许育荣 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/78;H01L29/41 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 石海霞;郑特强 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种半导体装置的制造方法，为了减少因接触元件误对准造成的接触阻值的变化。该方法包括：形成一非平面晶体管于一基材上，该非平面晶体管包括位于一鳍之中的源极/漏极区，该鳍包括一顶面及多个侧壁；形成一层间介电层于该非平面晶体管上，其中该层间介电层具有一最大高度；形成一开口，其仅穿越该层间介电层的最大高度的一部分，并暴露出该鳍的该顶面的至少一部分及所述侧壁的至少一部分；以及填充一导电材料于该开口，以形成该源极/漏极区之一的接触组件，该接触组件与该鳍的该顶面及所述侧壁相接触。本发明减少了接触阻值，同时在制造过程中减少了接触元件的误对准。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，包括：形成一非平面晶体管于一基材上，该非平面晶体管包括位于一鳍之中的源极/漏极区，该鳍包括一顶面及多个侧壁；形成一层间介电层于该非平面晶体管上，其中该层间介电层具有一最大高度；形成一开口，其仅穿越该层间介电层的最大高度的一部分，并暴露出该鳍的该顶面的至少一部分及所述侧壁的至少一部分；以及填充一导电材料于该开口，以形成该源极/漏极区之一的接触组件，该接触组件与该鳍的该顶面及所述侧壁相接触。
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