[发明专利]钛酸钡系半导体瓷器组合物以及使用其的PTC热敏电阻无效
申请号: | 201310421383.5 | 申请日: | 2013-09-16 |
公开(公告)号: | CN103708824A | 公开(公告)日: | 2014-04-09 |
发明(设计)人: | 松永达也 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | C04B35/468 | 分类号: | C04B35/468;C04B35/622 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王玉玲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种居里点低、能够进行低温工作、并且室温电阻低、电阻-温度特性高的钛酸钡系半导体瓷器组合物以及使用其的PTC热敏电阻。在钛酸钡系半导体瓷器组合物中,将Ba位点和Ti位点的摩尔比设为0.985≤Ti位点/Ba位点,以7.0mol%≤Sr≤17.0mol%12.5mol%≤Ca≤19.0mol%0.035mol%≤Mn≤0.074mol%的比例含有Sr、Ca、以及Mn。此外,将Ba位点与Ti位点的摩尔比,设为0.985≤Ti位点/Ba位点≤1.005的范围。 | ||
搜索关键词: | 钛酸钡 半导体 瓷器 组合 以及 使用 ptc 热敏电阻 | ||
【主权项】:
一种钛酸钡系半导体瓷器组合物,其特征在于,Ba位点与Ti位点的摩尔比为0.985≤Ti位点/Ba位点,以7.0mol%≤Sro<17.0mol%12.5mol%≤Ca≤19.0mol%0.035mol%≤Mn≤0.074mol%的比例含有Sr、Ca、以及Mn。
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