[发明专利]氧化物薄膜晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201310421396.2 | 申请日： | 2013-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN104157693A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 裵钟旭 | 申请（专利权）人： | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/417;H01L29/04;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 吕俊刚;刘久亮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本公开涉及氧化物薄膜晶体管及其制造方法。在根据本公开的利用非晶氧化锌（ZnO）半导体作为有源层的氧化物薄膜晶体管中，可通过将源极和漏极形成为具有至少两层的多层结构、以及在多层源极和多层漏极上采用包括用于克服缺陷的下层和用于最小化外部影响的上层的双钝化层结构以提高器件的稳定性和可靠性，来最小化由干法蚀刻导致的对氧化物半导体的损害。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：由第一导电膜制成的栅极；形成在栅极上的栅绝缘层；形成在栅绝缘层上的有源层，所述有源层由具有锌基氧化物的氧化物半导体制成；形成在有源层上的源极和漏极；形成在源极和漏极上以及布置在源极和漏极之间的有源层上的下钝化层，所述下钝化层由包括氧化物的绝缘层制成；形成在下钝化层上的上钝化层，所述上钝化层由比所述下钝化层具有更高的密度的绝缘层制成。
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