[发明专利]BSI图像传感器件的新型背面结构

摘要

本发明公开了一种制造图像传感器件（诸如BSI图像传感器）的方法和用此方法制造的图像传感器，其中，防止了BARC层中的电荷被金属屏蔽接地件中的相反电荷不期望的中和，从而减少暗电流并且提高器件的性能。图像传感器包括具有在与其正面相邻处形成的多个辐射传感器的衬底、形成在衬底背面上方的第一绝缘层、形成在第一绝缘层上方的BARC层、设置在BARC层上方的金属栅格、从金属栅格延伸进入衬底内以实现接地目的的一个或多个金属接地件以及设置在每一个金属接地件的侧壁与周围的BARC层之间的侧壁绝缘层。侧壁绝缘层使金属接地件与周围的BARC层电隔离。

主权项

一种图像传感器件，具有辐射吸收区和辐射阻挡区，所述图像传感器件包括：衬底，具有前面和背面，并且延伸跨过所述辐射吸收区和所述辐射阻挡区；多个辐射传感器，形成在所述辐射吸收区中与所述衬底的前面相邻处，可操作所述辐射传感器以检测穿过所述背面进入所述衬底的辐射波；第一绝缘层，形成在所述衬底的背面的上方；抗反射涂层，形成在所述第一绝缘层上方；导电层，形成在所述辐射阻挡区中，所述导电层包括：沉积在所述抗反射涂层上方的水平部分和从所述水平部分基本上垂直地延伸，穿透所述抗反射涂层和所述第一绝缘层，并且到达所述衬底以使所述导电层接地的一个或多个垂直部分，所述一个或多个垂直部分中的每一个都具有基本上与所述水平部分垂直的侧壁；以及侧壁绝缘层，设置在每一个所述垂直部分的侧壁与周围的所述抗反射涂层之间以在它们之间提供电隔离。