[发明专利]像素结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种像素结构及其制造方法。此像素结构包括扫描线、数据线、薄膜晶体管、第一电极层、保护层及第二电极层。薄膜晶体管与扫描线及数据线电连接，且其包括栅极、氧化物半导体层、绝缘层、源极及漏极。氧化物半导体层位于栅极上。绝缘层覆盖氧化物半导体层的通道区。源极及漏极位于绝缘层上，且分别与氧化物半导体层电连接。第一电极层与氧化物半导体层为相同膜层，由扫描线与数据线环绕。保护层覆盖源极及漏极。第二电极层位于第一电极层上，且保护层位于第一电极层与第二电极层之间，其中第一电极层及第二电极层中其中一个与薄膜晶体管电连接，且另一个连接至共用电压，且其中第二电极层具有暴露出第一电极层的面积的多个狭缝。

主权项

一种像素结构，其特征在于，包括：扫描线以及数据线，设置于基板上；薄膜晶体管，设置于该基板上，且与该扫描线以及该数据线电连接，该薄膜晶体管包括：栅极，设置于该基板上；氧化物半导体层，设置于该栅极上，其中该氧化物半导体层包括通道区与多个接触区，且该通道区位于该多个接触区之间，而该多个接触区经由表面改质处理比该通道区具有较佳的导体特性；绝缘层，覆盖该氧化物半导体层的该通道区；以及源极以及漏极，设置于该绝缘层上，且分别与该氧化物半导体层电连接；第一电极层，与该氧化物半导体层为相同膜层，且该第一电极层由该扫描线与该数据线环绕，其中该多个接触区中的一个位于该通道区与该第一电极之间；保护层，覆盖该源极、该漏极、该氧化物半导体层、该第一电极层以及该基板；以及第二电极层，设置于该第一电极层上，且该保护层位于该第一电极层与该第二电极层之间，其中该第一电极层以及该第二电极层中的其中一个与该薄膜晶体管电连接，且另一个连接至共用电压，且其中该第二电极层具有多个狭缝，该多个狭缝暴露出该第一电极层的面积。