[发明专利]P型鳍式场效应晶体管的形成方法有效
| 申请号： | 201310424882.X | 申请日： | 2013-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN104465375B | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;王冬江 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种P型鳍式场效应晶体管的形成方法，包括提供锗硅基底；在所述锗硅基底上形成硅层，所述硅层侧面为（111）晶面；湿法刻蚀所述硅层形成硅线，所述湿法刻蚀硅层为沿垂直于所述硅层上表面方向刻蚀所述硅层，所述硅线定义鳍部的位置；以所述硅线为掩模，刻蚀所述锗硅基底形成鳍部；去除所述硅线。在湿法刻蚀硅层形成硅线过程中，整个硅层完全浸入刻蚀剂中，刻蚀剂只在垂直于硅层上表面方向上刻蚀硅层。这样，形成的硅线侧壁非常光滑，线宽在其高度方向上体现一致性。在以该硅线为掩模，刻蚀锗硅基底形成的鳍部侧壁也非常光滑，硅线的线宽传递至鳍部，鳍部的线宽可以准确定位，在鳍部高度方向上体现一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 型鳍式 场效应 晶体管 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种P型鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供锗硅基底；在所述锗硅基底上形成硅层，所述硅层侧面为（111）晶面；湿法刻蚀所述硅层形成硅线，所述湿法刻蚀硅层为沿垂直于所述硅层上表面方向刻蚀所述硅层，所述硅线定义鳍部的位置；以所述硅线为掩模，刻蚀所述锗硅基底形成鳍部；去除所述硅线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
