[发明专利]欧姆接触结构与具有该欧姆接触结构的半导体元件在审
| 申请号： | 201310424937.7 | 申请日： | 2013-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN104465729A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 邱建维;廖庭维;管杰雄;黄宗义;杨宗谕 | 申请（专利权）人： | 立锜科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈肖梅;谢丽娜 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种欧姆接触结构，包含：一半导体基板，具一顶面；多个微结构，设置于该顶面上；以及一导电层，设置于多个微结构上；其中，导电层与半导体基板形成一欧姆接触。此外，本发明亦提供一种具有该欧姆接触结构的半导体元件。 | ||
| 搜索关键词： | 欧姆 接触 结构 具有 半导体 元件 | ||
【主权项】：
一种欧姆接触结构，其特征在于，包含：一半导体基板，具一顶面；多个微结构，设置于该顶面上；以及一导电层，设置于该多个微结构上；其中，该导电层与该半导体基板形成一欧姆接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于立锜科技股份有限公司，未经立锜科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310424937.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：高效率射频LDMOS器件及其制造方法
- 下一篇：有机发光二极管的像素结构
- 同类专利
- 专利分类
