[发明专利]一种制备具有八面体结构的In2S3薄膜的方法有效
| 申请号： | 201310426847.1 | 申请日： | 2013-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN103466690A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 陈飞;雷引林;罗云杰;陈珏 | 申请（专利权）人： | 浙江大学宁波理工学院 |
| 主分类号： | C01G15/00 | 分类号： | C01G15/00;B82Y40/00;C23C18/12 |
| 代理公司： | 宁波市天晟知识产权代理有限公司 33219 | 代理人： | 张文忠 |
| 地址： | 315100 浙江省宁波市高教园区钱*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备具有八面体结构的In2S3薄膜的方法，包括以下步骤：步骤一、将透明导电基片洗净去油污，并在丙酮、乙醇和去离子水中分别进行超声处理，超声处理后将导电基片烘干；步骤二、将含铟前驱体、含硫前驱体和有机配体溶于水中制得溶液，有机配体为半胱氨酸和还原谷胱甘肽的混合物；步骤三、将步骤一中烘干的导电基片置入步骤二中制得的溶液中并加热，反应完全后，用水冲洗导电基片，制得具有八面体结构的In2S3薄膜。本发明的In2S3薄膜的制备方法，工艺简单，生产成本低，制得的In2S3薄膜具有八面体结构，且八面体结构的大小可调，采用的导电基片是透明的导电基片，适于直接制备电子器件，容易被推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 具有 八面体 结构 in2s3 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种制备具有八面体结构的In2S3薄膜的方法，其特征是：具体步骤如下：步骤一、将透明导电基片洗净去油污，并在丙酮、乙醇和去离子水中分别进行超声处理，超声处理后将导电基片烘干；步骤二、将含铟前驱体、含硫前驱体和有机配体溶于水中制得溶液，所述的有机配体为半胱氨酸和还原谷胱甘肽的混合物；步骤三、将步骤一中烘干的导电基片置入步骤二中制得的溶液中并加热，反应完全后，用水冲洗导电基片，制得具有八面体结构的In2S3薄膜。
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