[发明专利]波束成形器、退火系统、热处理法和半导体装置制造方法有效
申请号: | 201310432062.5 | 申请日: | 2013-09-22 |
公开(公告)号: | CN103676461B | 公开(公告)日: | 2019-09-06 |
发明(设计)人: | 金尚炫;查理·罗蒙;朴钟主;李东根;金成洙 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G03F1/24 | 分类号: | G03F1/24;G02B27/09;H01L21/67 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 鲁恭诚;常桂珍 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供一种波束成形器、采用该波束成形器的退火系统、对基底进行热处理的方法和制造半导体装置的方法。所述处理系统包括:能量源,产生沿着能量束路径发射的能量束。波束截面成形器沿着能量束路径布置,接收入射能量束并修改入射能量束的截面形状以输出形状修改的能量束。波束强度成形器沿着能量束路径布置,接收具有第一强度轮廓的入射能量束并输出具有第二强度轮廓的强度被修改的能量束,其中,所述第一强度轮廓在其中心区域具有相对最大平均强度,第二强度轮廓在其中心区域具有相对最小平均强度。 | ||
搜索关键词: | 波束 成形 退火 系统 热处理 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种处理基底的方法,包括:在能量源产生能量束;在波束截面成形器接收能量束,波束截面成形器修改能量束的截面形状以输出形状被修改的能量束;在波束强度成形器接收能量束,接收的能量束具有第一强度轮廓,波束强度成形器输出具有第二强度轮廓的强度被修改的能量束,其中,所述第一强度轮廓在其中心区域具有相对最大平均强度,第二强度轮廓在其中心区域具有相对最小平均强度;以及将强度被修改的能量束施加到位于载物台的基底,入射到基底的强度被修改的能量束用于处理基底。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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