[发明专利]一种电连接结构及其制造方法、阵列基板有效
申请号: | 201310432205.2 | 申请日: | 2013-09-22 |
公开(公告)号: | CN103472615A | 公开(公告)日: | 2013-12-25 |
发明(设计)人: | 田明;刘家荣;徐利燕 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1333 | 分类号: | G02F1/1333 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 李相雨 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种电连接结构及其制造方法、阵列基板,所述电连接结构用于连接阵列基板公共电极总线区域的公共电极总线与显示区域的公共电极线,其特征在于,所述电连接结构位于所述公共电极总线区域的一端从基板侧向上依次包括:栅金属图案、栅绝缘层、半导体层、源漏金属层和保护层,其中,所述公共电极总线由所述源漏金属层制成,所述保护层在所述栅金属图案的上方形成有开口,所述源漏金属层从所述开口露出,并与周围的所述保护层齐平,所述源漏金属层从所述开口露出的部分通过透明导电薄膜与所述公共电极线连接。 | ||
搜索关键词: | 一种 连接 结构 及其 制造 方法 阵列 | ||
【主权项】:
一种电连接结构,用于连接阵列基板公共电极总线区域的公共电极总线与显示区域的公共电极线,其特征在于,所述电连接结构位于所述公共电极总线区域的一端从基板侧向上依次包括:栅金属图案、栅绝缘层、半导体层、源漏金属层和保护层,其中,所述公共电极总线由所述源漏金属层制成,所述保护层在所述栅金属图案的上方形成有开口,所述源漏金属层从所述开口露出,并与周围的所述保护层齐平,所述源漏金属层从所述开口露出的部分通过透明导电薄膜与所述公共电极线连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310432205.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。