[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置有效
| 申请号： | 201310432334.1 | 申请日： | 2013-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN103474475A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 刘翔 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 张恺宁 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，用以解决现有技术中存在的TFT的半导体有源层的弯曲度不能满足柔性显示的要求的问题。本发明实施例提供的TFT，包括半导体有源层，所述半导体有源层由类石墨烯半导体制作而成，其中，所述类石墨烯半导体是由替代元素对应的原子取代石墨烯导体中的部分碳原子后的产物。本发明实施例的半导体有源层的弯曲度能够满足柔性显示的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制作方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括半导体有源层，其特征在于，所述半导体有源层由类石墨烯半导体制作而成，其中，所述类石墨烯半导体是由替代元素对应的原子取代石墨烯导体中的部分碳原子后的产物；其中，替代元素为元素周期表的第五主族元素、第六主族元素、第七主族元素和镧系元素包括的各种元素中的至少一种元素。
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