[发明专利]形成包括具有半导体驱动电路的OLED显示器的结构的方法和半导体结构有效
申请号: | 201310435444.3 | 申请日: | 2013-09-23 |
公开(公告)号: | CN103682175A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 李宁;D·K·萨达那 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L27/32;G09G3/32 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 贺月娇;于静 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及形成包括具有半导体驱动电路的OLED显示器的结构的方法和半导体结构。采用剥落来产生单晶半导体层。在剥落之前在单晶半导体衬底上形成互补金属氧化物半导体(CMOS)逻辑和存储器件。可以在剥落之前或之后形成有机发光二极管(OLED)驱动电路、太阳能电池单体、传感器、电池等。剥落的单晶半导体层可以被转移到衬底。OLED显示器可以形成在剥落的单晶半导体层中,以实现这样的结构:该结构包括集成在所述单晶半导体层上的具有半导体驱动电路的OLED显示器和其它功能器件。 | ||
搜索关键词: | 形成 包括 具有 半导体 驱动 电路 oled 显示器 结构 方法 | ||
【主权项】:
一种形成包括具有半导体驱动电路的OLED显示器的结构的方法,所述方法包括:提供单晶半导体衬底,所述单晶半导体衬底具有形成在该单晶半导体衬底的暴露表面上的至少逻辑和存储器件;在其上形成有所述至少逻辑和存储器件的所述单晶半导体衬底的所述暴露表面上形成表面保护层;在所述表面保护层上方形成应力源层;剥落所述单晶半导体衬底,以提供剥落的单晶半导体层,所述剥落的单晶半导体层具有位于其表面上的所述至少逻辑和存储器件;将衬底形成在所述剥落的单晶半导体层的与具有位于其上的所述至少逻辑和存储器件的表面相反的表面上;以及在所述剥落的单晶半导体层上并且与所述至少逻辑和存储器件相邻地形成有机发光二极管(OLED)显示器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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