[发明专利]逻辑晶体管和非易失性存储器的制造方法

摘要

本公开涉及逻辑晶体管和非易失性存储器的制造方法。含氧化物层（18）直接形成在NVM区域（14）中的半导体层上，第一材料的第一部分层（20）形成于NVM区域中的含氧化物层上。第一高k电介质层（22）直接形成于逻辑区域（16）中的半导体层上。第一导电层（24）形成于逻辑区域中的第一电介质层上。第一材料的第二部分层（26）直接形成于NVM区域中的第一部分层上以及逻辑区域中的第一导电层上。逻辑器件形成于逻辑区域中。NVM单元形成于NVM区域中，其中如果NVM单元是浮置栅极单元或分裂栅极单元，则第一部分层和第二部分层一起用于形成电荷存储层或选择栅极。

主权项

一种形成半导体结构的方法，该半导体结构具有非易失性存储器NVM区域和逻辑区域，所述方法包括：直接在所述NVM区域中的半导体层上形成含氧化物层；在所述NVM区域中的含氧化物层上形成第一材料的第一部分层；直接在所述逻辑区域中的半导体层上形成具有高介电常数的第一电介质层；在所述逻辑区域中的第一电介质层上形成第一导电层；直接在所述NVM区域中的第一部分层上以及所述逻辑区域中的第一导电层上形成所述第一材料的第二部分层；在所述逻辑区域中形成逻辑器件，其中所述逻辑器件包括所述第一导电层和所述第一电介质层的一部分；以及使用所述含氧化物层、所述第一部分层以及所述第二部分层在所述NVM区域中形成NVM单元，其中如果所述NVM单元是浮置栅极NVM单元或分裂栅极NVM单元，则所述第一部分层和所述第二部分层一起用于形成电荷存储层或选择栅极。