[发明专利]一种发光二极管的PN结及其制造方法无效
| 申请号： | 201310438745.1 | 申请日： | 2013-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN103560184A | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 李世彬;张婷 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/32 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 谭新民 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种制造发光二极管的PN结方法，包括：获取基底材料；在基底材料上形成硅掺杂氮化物层；在硅掺杂氮化物层上形成镁掺杂金属氮化物层，其中镁掺杂金属氮化物层中金属组分含量从靠近硅掺杂氮化物层的部分到远离硅掺杂氮化物层的部分从零开始线性增加。本发明实施例的方法中，镁掺杂金属氮化物层中金属组分的含量从零开始线性增大，使得镁掺杂在镁掺杂金属氮化物层中激活效率得到很大提高，有效增加了空穴的浓度，从而提高了LED的发光强度及发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 pn 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造发光二极管的PN结方法，其特征在于，包括：获取基底材料；在所述基底材料上形成硅掺杂氮化物层；在所述硅掺杂氮化物层上形成镁掺杂金属氮化物层，其中所述镁掺杂金属氮化物层中金属组分含量从靠近所述硅掺杂氮化物层的部分到远离所述硅掺杂氮化物层的部分从零开始线性增加。
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