[发明专利]浅沟道隔离结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201310438959.9 | 申请日： | 2013-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN104465532B | 公开（公告）日： | 2017-06-16 |
| 发明（设计）人： | 李冠儒 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/13 | 分类号： | H01L23/13;H01L21/762 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种浅沟道隔离结构及其制造方法。该制造方法包括下列步骤提供半导体基材，其中半导体基材包括第一多晶硅层与刻蚀停止层，第一多晶硅层具有第一导电型，刻蚀停止层位于第一多晶硅层之上；刻蚀半导体基材以形成浅沟道；形成填充氧化层于浅沟道中，全部的填充氧化层是低于刻蚀停止层；形成第二多晶硅层覆盖浅沟道、填充氧化层及刻蚀停止层，第二多晶硅层具有第一导电型；以及，移除刻蚀停止层及第二多晶硅层位于刻蚀停止层上的部份，以暴露第一多晶硅层，使第一多晶硅层与第二多晶硅层的上部边缘构成平坦表面。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 隔离 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种浅沟道隔离结构的制造方法，包括：提供一半导体基材，包括一第一多晶硅层与一刻蚀停止层，该第一多晶硅层具有一第一导电型，该刻蚀停止层位于该第一多晶硅层之上；刻蚀该半导体基材以形成一浅沟道；形成一填充氧化层于该浅沟道中，全部的该填充氧化层是低于该刻蚀停止层；形成一第二多晶硅层覆盖该浅沟道、该填充氧化层及该刻蚀停止层，该第二多晶硅层具有该第一导电型；以及移除该刻蚀停止层及该第二多晶硅层位于该刻蚀停止层上的部分，以暴露该第一多晶硅层，使该第一多晶硅层与该第二多晶硅层的上部边缘构成一平坦表面。
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